Adsorção sequencial aleatória em substratos não simplesmente conectados

Abstract

Investigamos algumas das propriedades dos modelos de Adsorção Sequencial Aleatória (ASA) e Adsorção Sequencial Aleatória de Relaxamento (ASAR) em um substrato quadrado na presença de defeitos com distribuição aleatória e defeitos correlacionados. Para defeitos distribuídos aleatoriamente, foi deduzida uma expressão para a fração de cobertura de k-meros em uma dimensão como função da densidade de defeitos. Foram encontrados os expoentes críticos do scaling para uma e duas dimensões. Baseado no modelo analítico unidimensional, propomos um modelo de ajuste para a fração de cobertura em duas dimensões como função da densidade de defeitos. Este ajuste sugere que os casos unidimensional e bidimensional estão conectados por uma simples mudança de escala no eixo horizontal. Foi encontrado que o desvio padrão do parâmetro de anisotropia próprio do modelo ASAR decai com o inverso do tamanho linear do substrato, independentemente da escolha dos parâmetros de simulação. Reproduzimos os resultados de trabalhos anteriores (Lee, 1996) que sugerem que o valor mínimo das curvas de fração de cobertura total coincide nos casos unidimensional e bidimensional para a adsorção de k-meros. Generalizamos este conceito mostrando que a coincidência para valores grandes de k é independente da escolha do parâmetro de anisotropia. Mostramos que para partículas com relação de aspecto diferente da unidade, a abcissa do valor mínimo escala como uma lei de potencias da área ocupada por uma partícula e sendo o expoente universal com valor aproximado de 1.3. Propomos um novo método para a determinação exata da fração de cobertura na presença de defeitos correlacionados. A metodologia foi testada com êxito em três tipos de distribuições, a saber: distribuição aleatória, distribuição cristalina e distribuição de defeitos correlacionados por lei de potências. Comprovamos em uma dimensão a quebra de universalidade da transição de saturação para o caso da adsorção em presença de defeitos correlacionados por lei de potências.