Filmes nanoestruturados com gigante eficiência na interconversão entre corrente de spin e corrente de carga como elementos para dispositivos eletrônicos baseados em spin

Abstract

A presente patente de invenção visa empregar um sistema nanoestruturado do tipo filme fino, o qual apresenta um gigante aumento na eficiência do processo de interconversão de corrente de spin em corrente de carga, como elemento para aplicação em dispositivos tecnológicos baseados em spintrônica. O sistema nanoestruturado proposto consiste em filmes finos na forma [Material metálico não magnético (com alto ângulo Hall de spin) - Nanopartículas metálicas de material não magnético]/Material metálico não magnético (com alto ângulo Hall de spin). Essa estrutura uma vez depositada sobre um material ferromagnético realça o acoplamento spin-órbita do metal não magnético, assim aumentando o processo da interconversão corrente de spin-carga. Deste modo, respostas variando de 40% a 50% vezes maiores que o processo de interconversão spin-carga em estruturas [Material ferromagnético/Material metálico não magnético (com alto ângulo Hall de spin)] podem ser obtidas, o que elege os filmes com nanopartículas metálicas crescidas aleatoriamente no plano médio da camada intermediaria como candidatos promissores para o desenvolvimento de dispositivos tecnológicos baseados em spintrônica.