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Please use this identifier to cite or link to this item: https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/5076
Title: Injeção e transporte de portadores em dispositivos optoeletrônicos orgânicos e inorgânicos
Authors: José de Souza Coêlho, Isnaldo
Keywords: Dispositivos semicondutores; Semicondutores orgânicos
Issue Date: 2005
Publisher: Universidade Federal de Pernambuco
Citation: José de Souza Coêlho, Isnaldo; Ferreira Martins Filho, Joaquim. Injeção e transporte de portadores em dispositivos optoeletrônicos orgânicos e inorgânicos. 2005. Tese (Doutorado). Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Pernambuco, Recife, 2005.
Abstract: Os semicondutores orgânicos surgem como alternativa promissora aos materiais inorgânicos na tecnologia de fabricação de monitores de vídeo, viabilizando aplicações inovadoras. Vantagens tais como leveza, flexibilidade mecânica, variedade de cores e fácil processabilidade para produção em larga escala fizeram com que as telas orgânicas conquistassem seu espaço de destaque entre as demais tecnologias disponíveis atualmente. Nesse trabalho nós analisamos curvas I-V estáticas típicas de LEDs orgânicos (OLEDs), a unidade fundamental das telas orgânicas, com o objetivo de desenvolver ferramentas adequadas para análise desses dispositivos. Com isso, demonstramos que os OLEDs se comportam efetivamente como diodos Schottky do ponto de vista eletrônico. Dois métodos de Engenharia usualmente aplicados para análise de diodos Schottky inorgânicos são adaptados para avaliação de OLEDs e uma técnica de caracterização elétrica alternativa, a Espectroscopia de Impedância, confirma a validade das hipóteses adotadas. Na segunda parte da tese propomos um modelo original incluindo os efeitos da excitação luminosa no comportamento de dispositivos inorgânicos conhecidos como diodos de tunelamento ressonante (RTDs). Nosso modelo equaciona os efeitos de fotocondutividade e retenção de cargas, reconhecidamente responsáveis pelo deslocamento da curva I-V estática desses dispositivos quando sua estrutura é submetida à excitação óptica. Simulações computacionais demonstram que o modelo teórico é capaz de ajustar as curvas experimentais com boa precisão
URI: https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/5076
Appears in Collections:Teses de Doutorado - Engenharia Elétrica

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