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Título : Medição não invasiva da tensão aplicada ao tubo de raios X e de camada semi-redutora utilizando transistor bipolar de junção em mamografia
Autor : LOPES, Gideon Araújo
Palabras clave : Mamografia; Tensão aplicada ao tubo; Camada semi-redutora; Transistor bipolar de junção
Fecha de publicación : 25-abr-2018
Editorial : Universidade Federal de Pernambuco
Resumen : A mamografia é um método de avaliação do tecido mamário por meio de imagem para fim de diagnóstico. De fato, a efetividade do diagnóstico está diretamente relacionada com o desempenho do equipamento e os parâmetros técnicos adequadamente ajustados, como a tensão aplicada ao tubo (kV) e a qualidade do feixe, determinada pela camada semi-redutora. Para ter alta precisão no procedimento de medição destes parâmetros em tubos de raios X, pesquisadores tentam desenvolver novas tecnologias. O presente trabalho estudou a resposta de transistores bipolar de junção (TBJ) quando submetidos a feixes de raios X de um equipamento de mamografia LORAD-MIII. Foram utilizados um sistema PTW DIAVOLT, equipamento de referência para medição não invasiva da tensão aplicada ao tubo de raios X, de acordo com a norma IEC 61676, e um sistema de medidas com câmara de ionização, equipamento de referência para determinação da camada semi-redutora em tubos de raios X, de acordo com a norma ANVISA nº 453. A metodologia consistiu na variação sistemática do potencial aplicado ao tubo desde seu valor mínimo até seu valor máximo fornecido pelo equipamento para estudo da tensão aplicada ao tubo de raios X, na adição de filtros atenuadores para estudo de camada semi-redutora e de sucessivas exposições nos transistores para estudo do dano da radiação no dispositivo. Os resultados do medidor de kV não invasivo e a corrente de coletor, IC, produzida pelo TBJ foram comparados para avaliar a possibilidade deste dispositivo eletrônico operar como um detector de raios X na mamografia e, portanto, ser usado no futuro para estimar a tensão aplicada ao tubo pelo equipamento. Também foram comparados os resultados de determinação de camada semi-redutora com o equipamento de referência e com o TBJ, e estudado o dano que este tipo de radiação de baixa energia provoca no transistor bipolar de junção.
URI : https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/31745
Aparece en las colecciones: Dissertações de Mestrado - Tecnologias Energéticas e Nucleares

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