Dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituído de polímero condutor e óxido de zinco e metais

Abstract

Refere-se a presente invenção a um dispositivo nanométrico sem icond utor constituído de uma heterojunção polímero condutor (PANI) e óxido de zinco (ZnO), cujo monitoramento das propriedades de dopagem e do grau de oxidação do polímero condutor e das dimensões físicas dos filmes de óxidos de zinco consegue-se obter dispositivos eletrônicos com características elétricas especificas, com esta tecnologia é possível obter uma junção do tipo p-n semicondutora com características de diodo retificador como também obter um dispositivo do tipo Varistor com tensões de ruptura controlada, cujas características inéditas estamos solicitando privilégio de invenção. O dispositivo é composto de um filme metálico, ouro ou alumínio, um filme fino de polianilina de espessura e tamanhos variados, um filme de oxido de zinco de espessura e tamanhos e finalmente contatos metálicos de alumínio ou ouro conforme mostra figura (1). As características elétricas destes novos dispositivos são superiores aos dispositivos comerciais devido ao fato de ser um dispositivo híbrido orgânico o que torna estatecnologia mais barata e mais acessível de ser produzido. Outro aspecto importante é a possibilidade do controle da tensão de ruptura do dispositivo que é obtida em função do grau de dopagem e da espessura dos componentes ativos.