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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/50376

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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorCOSTA, Antonio Azevedo da-
dc.contributor.authorSILVA, Eudes Thomas Gomes da-
dc.date.accessioned2023-05-19T15:13:11Z-
dc.date.available2023-05-19T15:13:11Z-
dc.date.issued2023-04-27-
dc.identifier.citationSILVA, Eudes Thomas Gomes da. Investigação de fenômenos spintrônicos em materiais clássicos e quânticos. 2023. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de Pernambuco, Recife, 2023.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/50376-
dc.description.abstractNesta dissertação são investigados vários fenômenos que envolvem a interação dos graus de li- berdade de spin e carga do elétron em diversos materiais. Investigamos amostras fabricadas por sputtering DC e RF com as seguintes composições: Si/FM, Si/FM/NM, e Si/FM1/NM/FM2 onde FM = N i81F e19, Co, Ni, Fe e NM; NM = Pt ou Sb. Entre os fenômenos investigados destacamos: (i) Injeção de spin em Si-p e Si-n, onde foi investigada a conversão de spin em carga, bem como o papel da junção Schottky no fenômeno; (ii) Autoconversão de onda de spin em corrente de carga nos metais NiFe, Fe e Co; (iii) Conversão de corrente de spin em carga, quando a corrente de spin é injetada nas duas superfícies de Sb. Neste caso estudamos o papel desempenhado pelos estados de superfície e de volume no processo de conversão. Vimos que as amostras de FM/Sb(t)/FM onde t é a espessura do filme de Sb o sinal DC obtido através do processo de spin-pumping é devido ao efeito Rashba, característico de conversão na su- perfície/interface. Inicialmente para analisarmos as amostras de silício, fizemos um estudo do processo de remoção da camada de óxido através do processo de plasma etching. Nesta etapa utilizamos dois métodos para caracterizarmos a remoção do óxido, primeiramente utilizando o perfilômetro, para calcularmos a taxa de remoção em função do tempo de exposição ao plasma e potência de RF, e por fim, fazendo curvas I-V para caracterizarmos a ohmicidade das amostras.pt_BR
dc.description.sponsorshipFACEPEpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Pernambucopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/*
dc.subjectFísica da matéria condensada e de materiaispt_BR
dc.subjectInjeção de spinpt_BR
dc.subjectConversão de spinpt_BR
dc.subjectAuto conversãopt_BR
dc.subjectEstados de superfíciept_BR
dc.titleInvestigação de fenômenos spintrônicos em materiais clássicos e quânticospt_BR
dc.typemasterThesispt_BR
dc.contributor.authorLatteshttp://lattes.cnpq.br/9887839633124807pt_BR
dc.publisher.initialsUFPEpt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.degree.levelmestradopt_BR
dc.contributor.advisorLatteshttp://lattes.cnpq.br/7873530684119035pt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pos Graduacao em Fisicapt_BR
dc.description.abstractxIn this thesis, several phenomena are investigated involving the interaction between the spin and charge degree of freedom of the electron in different materials. We investigated samples manufactured by DC and RF sputtering with the following composition: Si/FM, Si/FM/NM, and Si/FM1/NM/FM2 where FM = N i81F e19, Co, Ni and Fe; NM = Pt or Sb. Among the phenomena investigated we highlight: (i) Injection of spin in Si-p and Si-n, where the conversion of spin current into charge current was investigated, as well as the role of the Schottky junction on it; (ii) self conversion (spin rectification) of a spin wave into a charge current at the metals NiFe, Fe and Co; (iii) Conversion of spin current into charge, when the spin current is injected at both surfaces of Sb. In this case, we studied the role played by both surface and bulk states in the conversion process. We found that the FM/Sb(t)/FM samples, where t is the thickness of the Sb film, exhibit a DC signal obtained through the spin-pumping process due to the Rashba effect, which is characteristic of conversion at the surface/interface. Initially, to analyze the silicon samples, we studied the process of removing the oxide layer through plasma etching. In this step, we used two methods to characterize the oxide removal: first, using the profilometer to calculate the removal rate as a function of plasma exposure time and RF power, and second, making I-V curves to characterize the ohmicity of the samples.pt_BR
Aparece en las colecciones: Dissertações de Mestrado - Física

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