Avaliação da tensão e fadiga dos implantes curtos na reabilitação de mandíbulas atróficas com prótese tipo protocolo- MEF

Abstract

O tratamento reabilitador sobre implantes pode resultar em fracasso, caso tensões ex- cessivas no eixo de forças oblíqua e axial não sejam consideradas no planejamento protético. O

presente estudo teve como objetivo avaliar e comparar, por meio do método de elementos finitos (MEF), a tensão gerada em implantes de diferentes comprimentos quando submetidos a forças oblíquas, assim como a resistência à fadiga. Modelos de elemento finitos foram construídos com

quatro implantes de mesmo diâmetro e diferentes comprimentos, esplintados por uma barra pro- tética metálica. Os modelos foram divididos em 4 grupos, de acordo com os comprimentos dos

implantes: 4mm (G4), 6mm (G6), 8mm (G8), 10mm (G10). Todos os grupos foram simulados com uma força oblíqua de 100 N na região de primeiro molar esquerdo para avaliação da tensão

em nível ósseo, dos implantes e componentes protéticos (intermediário, barra e parafuso proté- tico). Com relação à força oblíqua, o G10 apresentou os menores valores de tensão ao nível ósseo,

implante, parafuso e barra (68,179; 111,80; 257,51; 100,47 Mpa), enquanto que o G4 mostrou os maiores valores de tensões (143,04; 273,79; 300,39; 379,34 MPa), respectivamente. Na análise do intermediário, o G4 apresentou o menor valor de tensão (222,80 MPa) comparado aos outros grupos. Quando fixado o número de cinco milhões de ciclos de carregamento, durante o teste de fadiga, todos os componentes e implantes dos grupos G10, G8, G6 tiveram um número mínimo maior que 1E+09 ciclos (109

), ou seja, vida infinita. Porém, a barra metálica do grupo G4 resistiu apenas a 4,8415.107 (ou 48,4115 milhões) de ciclos antes de falhar por fadiga, equivalente a 48 anos. De acordo com o MEF, sugere-se que os implantes curtos de até 4 mm são uma alternativa viável para casos de reabilitação fixa sobre implante com mandíbulas edêntulas atróficas que impossibilitem a instalação de implantes mais longos.