Caracterização de nanofilmes de semicondutores de ZnO e MnO em feixes de radioterapia

Abstract

O avanço da nanotecnologia estimula os pesquisadores a desenvolverem aplicações nas mais diversas áreas de conhecimento buscando a melhoria de técnicas de medição de diversas grandezas físicas, por exemplo, empregados na dosimetria em radioterapia. Este trabalho se propôs a utilizar nanofilmes de óxidos de semicondutores de zinco e manganês (ZnO e MnO) para aplicações dosimétricas em feixes de fótons em radioterapia. As amostras de nanofilmes foram fabricadas pela técnica de sputtering sendo depositadas em substrato de vidro. Testes em um acelerador linear clínico foram realizados para analisar a resposta dos nanofilmes em feixes de 6 MV e 10 MV. Os resultados demonstraram que os nanofilmes de ambos os óxidos apresentaram comportamento ôhmico quando caracterizados eletricamente e demonstraram tanto repetitividade como reprodutibilidade no sinal elétrico produzido das medidas da intensidade fotônica do feixe de radiação. Apesar desses materiais não apresentarem concordância com o detector padrão utilizado em radioterapia para medição da dose em profundidade, o perfil de campo de radiação obtido com esses materiais apresentou congruência com o detector padrão. Além disso, esses semicondutores apresentaram comportamento praticamente linear com a taxa de dose, embora tenham uma dependência com o ângulo de incidência do feixe de fótons e pouca dependência com o tamanho do campo de radiação para campos maiores que 15x15 cm², essa dependência indica a necessidade de outros estudos para o desenvolvimento tecnológico na geometria do nanofilme. De forma geral, esses semicondutores demonstraram ser uma inovação tecnológica no que concerne sua aplicação para dosimetria em radioterapia.