Avaliação de parâmetros de campo em radioterapia utilizando transistor bipolar de junção

Abstract

A radioterapia é uma técnica que utiliza radiação ionizante para tratamento de pacientes com câncer. Estima-se que, no mundo, 52% dos pacientes com essa doença são submetidos à radioterapia pelo menos uma vez durante o seu tratamento. Segundo as instituições reguladoras internacionais, esse tipo de procedimento exige alta precisão na administração da dose prescrita durante cada sessão radioterápica. Dentre os parâmetros de avaliação de um equipamento de radioterapia, segundo os padrões internacionais, tem-se a simetria e a planura do campo de radiação ionizante. Os objetivos deste trabalho são pesquisar sobre sensores semicondutores de radiação tipo transistor bipolar de junção (TBJ) e desenvolver um sistema dotado de uma matriz desses sensores para mensurar os principais parâmetros de campo de radiação: simetria e planura. Para isso, o TBJ foi caracterizado eletricamente e submetido a testes de sensibilidade aos feixes de radiação ionizante. Os resultados demonstram que tal tipo de dispositivo eletrônico, como sensor de radiação ionizante, é eficiente para avaliar a simetria e a planura de campo em feixes de radioterapia.